IPI600N25N3 G

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

IPI600N25N3 G datasheet

• Маркировка
  IPI600N25N3 G
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPI600N25N3 G RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 25 A Resistance Drain-Source RDS (on): 60 mOhms at 10 V Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Fall Time: 8 nS Gate Charge Qg: 22 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 136 W Rise Time: 10 nS Typical Turn-Off Delay Time: 22 nS Part # Aliases: IPI600N25N3GAKSA1 IPI600N25N3GXK SP000714316
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet IPI600N25N3 G.pdf
Файл формата Pdf 123,29 KB